6
RF Device Data
Freescale Semiconductor, Inc.
MRF8P20140WHR3 MRF8P20140WHSR3 MRF8P20140WGHSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
PARC (dB)
1880
Gps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. 2--Carrier Output Peak--to--Average Ratio Compression
(PARC) Broadband Performance @ Pout
= 24 Watts Avg.
-- 1 . 8
-- 1
-- 1 . 2
-- 1 . 4
-- 1 . 6
15
17
16.8
16.6
-- 3 5
44
42
40
38
-- 3 0
-- 3 1
-- 3 2
-- 3 3
?
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
?D
G
ps
, POWER GAIN (dB)
16.4
16.2
16
15.8
15.6
15.4
15.2
1900 1920 1940 1960 1980 2000 2020 2040
36
-- 3 4
-- 2
IM3, THIRD ORDER
INTERMODULATION (dBc)
-- 2 9
-- 2 5
-- 2 6
-- 2 7
-- 2 8
-- 3 0
ACPR (dBc)
IM3
PARC
VDD=28Vdc,Pout
=24W(Avg.),IDQA
= 500 mA
VGSB
= 1.2 Vdc, 2--Carrier W--CDMA, 3.84 MHz Channel
Bandwidth, 30 MHz Carrier Spacing, Input Signal
PAR = 9.8 dB @ 0.01% Probability on
CCDF
PARC (dB)
1880
Gps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 5. Single--Carrier Output Peak--to--Average Ratio Compression
(PARC) Broadband Performance @ Pout
= 24 Watts Avg.
-- 2
-- 1 . 6
-- 1 . 7
-- 1 . 8
-- 1 . 9
15
17
16.8
16.6
-- 3 5
43
42
41
40
-- 3 0
-- 3 1
-- 3 2
-- 3 3
?
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
?D
G
ps
, POWER GAIN (dB)
16.4
16.2
16
15.8
15.6
15.4
15.2
1900 1920 1940 1960 1980 2000 2020 2040
39
-- 3 4
-- 2 . 1
ACPR (dBc)
PARC
Figure 6. Intermodulation Distortion Products
versus Two--Tone Spacing
TWO--TONE SPACING (MHz)
1 30010
100
-- 7 0
-- 2 0
-- 3 0
-- 4 0
-- 6 0
IMD, INTERMODULATIO
N DISTORTION (dBc)
-- 5 0
IM3--U
IM3--L
IM5--U
IM5--L
IM7--L
IM7--U
VDD
=28Vdc,Pout
= 24 W (PEP)
IDQA
= 500 mA, VGSB
=1.2Vdc
VDD=28Vdc,Pout
=24W(Avg.),IDQA
= 500 mA
VGSB
= 1.2 Vdc, 2--Carrier W--CDMA, 3.84 MHz
Channel Bandwidth, Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01%
Probability on
CCDF
Two--Tone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 1920 MHz
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。
相关PDF资料
MRF8P20161HSR3
IC MOSFET RF N-CHAN NI-780S
MRF8P20165WHSR3
FET RF LDMOS 28V 550MA NI780S4
MRF8P23080HSR3
FET RF N-CH 2.3GHZ 28V NI780S-4
MRF8P9040GNR1
IC MOSFET RF N-CHAN TO-270
MRF8P9300HSR6
FET RF N-CH 960MHZ 70V NI-1230HS
MRF8S18120HR5
MOSFET RF N-CH 120W NI-780
MRF8S18260HSR6
MOSFET RF N-CH 260W NI1230S-8
MRF8S19140HSR3
FET RF N-CH 1960MHZ 28V NI780HS
相关代理商/技术参数
MRF8P20140WHSR5
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 24W NI780S-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8P20160HR3
功能描述:DISCRETE RF FET RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF8P20160HR5
功能描述:DISCRETE RF FET RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF8P20160HSR3
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 160W NI780HS-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8P20160HSR5
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 160W NI780HS-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8P20161HSR3
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 161W NI780HS-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8P20161HSR5
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 161W NI780HS-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8P20165WHR3
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 165W NI780-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray